时间：2025/8/9 4:47:21
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FA8A41N-C6-R3是一款由富士通（Fujitsu）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高可靠性的电源管理领域。该器件采用先进的沟槽栅极技术，以实现更低的导通电阻和更高的开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：4.1A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：170mΩ（最大值）
功耗（Pd）：1.25W
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C至150°C
FA8A41N-C6-R3具备低导通电阻特性，这有助于减少功率损耗并提高整体效率。其采用的沟槽结构优化了电场分布，从而提升了器件的击穿电压稳定性和可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种应用场景中灵活使用，同时具备较高的热稳定性，适合在高温环境下工作。
此外，FA8A41N-C6-R3的封装形式为SOT-23，体积小巧，便于在空间受限的设计中应用。该器件还具有良好的抗静电能力，增强了在复杂电路环境中的耐用性。
由于其优异的开关性能，FA8A41N-C6-R3能够在高频条件下保持较低的开关损耗，适用于需要快速切换的应用场合。同时，该器件的制造工艺符合环保要求，不含铅等有害物质，满足RoHS指令。
FA8A41N-C6-R3广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理模块中的DC-DC转换器、电池管理系统中的负载开关、便携式电子设备的功率控制电路、工业自动化设备中的马达驱动系统以及各种需要高效功率控制的嵌入式系统。由于其小巧的封装和优异的性能，FA8A41N-C6-R3也常用于消费类电子产品和汽车电子系统中。
FDV301N、2N7002、Si2302DS、DMG3415V
