PESD5V0R1BSF 时间：2025/7/8 9:17:20 阅读：15

PESD5V0R1BSF 是一款由 NXP（恩智浦）生产的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专门用于保护电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压的损害。它采用小尺寸的 SOD-323 封装形式，适合空间受限的应用场景。
　　该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线和高频信号路径的保护需求。此外，PESD5V0R1BSF 提供了双向保护功能，能够在正负方向上有效抑制过压脉冲。

参数

额定工作电压：±5V
　　峰值脉冲电流：±6A
　　最大箝位电压：±8.4V
　　结电容：15pF
　　响应时间：≤1ns
　　封装形式：SOD-323
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

PESD5V0R1BSF 的主要特性包括以下几点：
　　1. 高度可靠的 ESD 保护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准，并可承受高达 ±30kV 的接触放电。
　　2. 极低的负载电容，使其非常适合高速数据接口，如 USB、HDMI 和以太网等。
　　3. 快速响应时间确保在瞬态事件发生时能够迅速限制电压，从而避免损坏敏感电路。
　　4. 小型化设计有助于减少 PCB 空间占用，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
　　5. 工作温度范围宽广，适用于各种工业和消费类环境。

应用

PESD5V0R1BSF 广泛应用于需要可靠 ESD 保护的领域，具体包括：
　　1. 高速数据通信接口，例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort 和以太网。
　　2. 消费类电子产品中的输入输出端口防护，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　3. 工业自动化设备中的传感器和控制线路保护。
　　4. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线防护。
　　5. 医疗设备中的关键信号通道保护。