3S0680R 时间：2025/8/25 7:25:53 阅读：33

3S0680R 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET适用于多种高功率应用，如电源转换、电机控制和负载开关等。其高电流和高电压能力使其在工业和消费类电子设备中具有广泛的应用前景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：8A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：0.68Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

3S0680R MOSFET具备多项优良特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达到600V，使其适用于高压环境下的应用。其次是其相对较低的导通电阻（Rds(on)）为0.68Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。此外，该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于需要高可靠性的应用场景。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下稳定工作。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计难度。同时，3S0680R还具备快速开关特性，适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和开关电源。这些特性共同保证了器件在各种严苛条件下的可靠性和性能。

应用

3S0680R MOSFET主要用于高压和高功率的应用场景。其中包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、负载开关和逆变器等。在开关电源设计中，它可以作为主开关器件，用于高效的功率转换。在电机控制电路中，它能够有效地控制电机的运行状态，实现精确的调速和保护功能。此外，3S0680R也常用于LED照明系统、工业自动化设备以及家电产品中的功率管理模块。其高可靠性和良好的性能使其成为众多功率电子设计中的首选器件。