PESD3V3U1UA是Nexperia公司推出的一款超低电容ESD(静电放电)保护二极管阵列。该器件设计用于高速数据线和高频信号线的瞬态电压抑制,能够有效防止静电放电对敏感电子设备造成的损害。
这款芯片采用DFN1206-2封装形式,具有非常小的外形尺寸,非常适合空间受限的应用场景。它支持单向保护配置,典型应用场景包括USB 2.0、HDMI、以太网等高速接口的保护。
工作电压:3.3V
峰值脉冲电流:±8A (TP=8/20μs)
箝位电压:5.5V @ If=8A
电容:0.4pF
响应时间:小于1ns
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DFN1206-2
结电容:0.4pF @ Vr=0V, f=1MHz
PESD3V3U1UA具备极低的负载电容,仅为0.4pF,这使其非常适合高速数据线的保护,不会显著影响信号完整性。
该器件具有快速响应时间,小于1ns,能够在瞬间将过电压箝位到安全水平,从而保护下游电路不受损害。
PESD3V3U1UA可以承受高达±8A的峰值脉冲电流,并且在高电流下的箝位电压为5.5V,确保了优秀的保护性能。
此外,其工作温度范围宽广,从-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境中的应用。
PESD3V3U1UA广泛应用于需要ESD保护的各种高速接口中,例如:
1. USB 2.0端口保护
2. HDMI接口保护
3. DisplayPort保护
4. Ethernet PHY线路保护
5. 移动设备中的射频线路保护
由于其极低的电容和快速响应时间,它特别适合于要求信号完整性和高频率性能的场合。
PESD3V3UA1, PESD3V3U2, PESD3V3BAT