PESD3V3U1UA 时间：2025/7/2 9:53:30 阅读：22

PESD3V3U1UA是Nexperia公司推出的一款超低电容ESD（静电放电）保护二极管阵列。该器件设计用于高速数据线和高频信号线的瞬态电压抑制，能够有效防止静电放电对敏感电子设备造成的损害。
　　这款芯片采用DFN1206-2封装形式，具有非常小的外形尺寸，非常适合空间受限的应用场景。它支持单向保护配置，典型应用场景包括USB 2.0、HDMI、以太网等高速接口的保护。

参数

工作电压：3.3V
　　峰值脉冲电流：±8A (TP=8/20μs)
　　箝位电压：5.5V @ If=8A
　　电容：0.4pF
　　响应时间：小于1ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN1206-2
　　结电容：0.4pF @ Vr=0V, f=1MHz

特性

PESD3V3U1UA具备极低的负载电容，仅为0.4pF，这使其非常适合高速数据线的保护，不会显著影响信号完整性。
　　该器件具有快速响应时间，小于1ns，能够在瞬间将过电压箝位到安全水平，从而保护下游电路不受损害。
　　PESD3V3U1UA可以承受高达±8A的峰值脉冲电流，并且在高电流下的箝位电压为5.5V，确保了优秀的保护性能。
　　此外，其工作温度范围宽广，从-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境中的应用。

应用

PESD3V3U1UA广泛应用于需要ESD保护的各种高速接口中，例如：
　　1. USB 2.0端口保护
　　2. HDMI接口保护
　　3. DisplayPort保护
　　4. Ethernet PHY线路保护
　　5. 移动设备中的射频线路保护
　　由于其极低的电容和快速响应时间，它特别适合于要求信号完整性和高频率性能的场合。