时间：2025/8/25 5:47:59
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FCPF36N60N是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高功率开关应用设计，具备高耐压能力和较大的导通电流能力。其主要特点是低导通电阻、高热稳定性和优异的开关性能。FCPF36N60N通常用于电源转换器、电机控制、电源管理和工业自动化等应用中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）@25℃：36A
导通电阻（RDS(on)）：最大值0.115Ω
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FCPF36N60N具备多项显著的技术特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），这可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，FCPF36N60N采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，从而提升了器件在高负载条件下的可靠性。
其次，该MOSFET的高耐压能力（600V VDS）使其适用于各种高压电源转换应用，如AC-DC转换器、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。同时，其额定漏极电流高达36A（在25℃环境温度下），能够支持大功率负载的驱动，如电机、电磁阀和高亮度LED驱动。
FCPF36N60N还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其最大功率耗散为160W，表明该器件具备较高的热容能力，能够在连续高负载工况下保持性能稳定，延长使用寿命。这种特性使其非常适合用于工业控制、电源模块和不间断电源（UPS）系统等应用场景。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了其在不同控制电路中的兼容性。它支持快速开关操作，减少了开关损耗，有助于提升整体系统效率。因此，FCPF36N60N不仅适合传统的功率转换应用，也适用于对效率和可靠性要求较高的新能源和智能电网设备。
FCPF36N60N的应用范围广泛，涵盖了多个高功率电子系统的领域。首先，它常用于电源管理模块，例如AC-DC和DC-DC转换器，以提高能源转换效率并减小电源体积。其次，该MOSFET在电机控制和驱动电路中也扮演重要角色，特别是在工业自动化设备中，如伺服电机驱动器和变频器。
此外，FCPF36N60N也广泛应用于新能源系统，例如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。由于其具备高耐压和大电流承载能力，能够有效支持这些系统中的高压直流到交流的转换过程。
在汽车电子领域，该器件可用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统（BMS）以及车载充电器（OBC）等模块。其高可靠性和耐高温特性，使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行。
最后，FCPF36N60N还适用于LED照明驱动器、家用电器（如变频空调和微波炉）以及工业自动化设备中的功率控制模块。这些应用对MOSFET的性能、效率和可靠性提出了较高的要求，而FCPF36N60N正好能够满足这些需求。
FQP36N60C, FQA36N60C, STF36N60DM2, IRFPG50
