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GA1206Y562JXLBT31G 发布时间 时间:2025/5/30 22:18:49 查看 阅读:6

GA1206Y562JXLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
  该型号中的具体参数可以通过名称进行解析:GA 表示产品系列,1206 指定封装类型(通常为表面贴装),Y562 表示具体的芯片设计版本,JXLB 则代表特定的电气参数等级,T31G 是供应商内部的产品修订标识。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y562JXLBT31G 的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高电流处理能力。这些特点使得该芯片非常适合于大功率应用场合。此外,它还具有快速开关速度,这有助于减少开关损耗并在高频操作中保持高效性能。
  此器件的热性能也非常出色,能够在高温环境下长期稳定运行,这得益于其优化的内部结构设计和散热路径。同时,由于采用了坚固的 TO-247 封装,该器件在机械强度和电气连接可靠性方面表现出色。
  为了确保系统的安全性和稳定性,该芯片内置了过温保护和过流限制功能。这些保护机制可以有效防止因异常负载或环境条件导致的器件损坏。

应用

该芯片广泛应用于各种工业和消费类电子设备中,例如:
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电动工具及家用电器的电机驱动
  - 太阳能逆变器中的功率转换模块
  - 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)
  - 高效 DC-DC 转换器
  凭借其卓越的性能和可靠性,GA1206Y562JXLBT31G 成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

GA1206Y562JXLBT29G, GA1206Y562JXLBT30G

GA1206Y562JXLBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5600 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-