时间：2025/9/14 16:35:24
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PESD2IVN-UX 是一款由Nexperia（安世半导体）生产的单向静电放电（ESD）保护二极管，专为高速数据线和接口的瞬态电压保护而设计。该器件采用先进的引线技术，具备低电容和快速响应时间的特点，非常适合用于保护敏感的电子设备免受静电放电和其他瞬态电压事件的影响。
类型：单向ESD保护二极管
工作电压：2.0V
反向击穿电压：2.3V（最小）
最大箝位电压：6.0V（在IEC 61000-4-2 8kV测试条件下）
峰值脉冲电流：10A（8/20μs波形）
电容（@1MHz）：0.5pF
封装形式：SOT723（SMD）
引脚数：3
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PESD2IVN-UX ESD保护二极管采用了高性能的硅雪崩技术，能够在极短时间内响应静电放电事件，从而有效保护后端电路免受损坏。该器件具有非常低的结电容，确保在高速信号传输过程中不会对信号完整性造成影响，因此特别适合用于USB、HDMI、DisplayPort等高速接口的保护。
该器件的单向结构设计允许在正向电压下正常工作，同时在反向电压下提供过压保护。其低箝位电压特性可以减少对被保护电路的压力，提高整体可靠性。此外，PESD2IVN-UX具有优异的ESD抗扰度，符合IEC 61000-4-2 Level 4标准（接触放电±8kV，空气放电±15kV），确保在严苛的电磁环境中仍能提供稳定的保护性能。
采用SOT723小型化封装，不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺。其紧凑的设计和高集成度使得该器件非常适合用于便携式电子设备和高密度PCB布局。
PESD2IVN-UX主要应用于各种需要高速信号保护的场合，例如个人计算机、笔记本电脑、平板电脑和智能手机的USB接口、HDMI端口、以太网接口以及其他高速数据通信端口。此外，该器件还可用于工业控制系统、通信设备、汽车电子中的车载娱乐系统（IVI）和车载导航系统等，以提高设备的可靠性和抗干扰能力。
PESD2IVN
