时间：2025/5/29 1:22:59
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SPP80N04S2-H4是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件适用于高频开关应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。其典型应用场景包括DC-DC转换器、电源适配器、电机驱动以及各种开关电源电路。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：80A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：390pF
工作结温范围：-55℃至150℃
SPP80N04S2-H4采用了先进的半导体制造工艺，具备以下优势：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 出色的热性能，能够承受较高温度环境。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。
该型号广泛应用于各种需要高效能功率管理的领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
5. 消费类电子产品中的充电解决方案。
6. 可再生能源系统如太阳能逆变器中的功率调节部分。
SPP80N04L2-H4, SPP80N04S3-H4
