MIC4605-1YMT T5是一款由Microchip Technology制造的双路MOSFET驱动器集成电路,专为高性能电源转换系统设计。该器件集成了两个独立的MOSFET驱动通道,能够高效驱动高侧和低侧MOSFET,适用于同步降压转换器、升压转换器、DC-DC转换器以及电机驱动应用等。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高抗干扰能力,并能在高频工作条件下保持稳定性能。
供电电压范围:4.5V 至 20V
输出峰值电流:1.4A(典型值)
输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
传播延迟时间:典型值为15ns
上升/下降时间:典型值为8ns/6ns(18V电源)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:TDFN-8(3mm x 3mm)
最大工作频率:可达1MHz以上
驱动能力:支持N沟道MOSFET并联使用
高侧浮动电压能力:最高可达100V
MIC4605-1YMT T5具备多种先进特性,以提升系统性能和可靠性。其高驱动能力使其能够快速开关大功率MOSFET,从而降低开关损耗并提高电源效率。该器件具有极短的传播延迟时间和匹配的上升/下降时间,有助于实现精确的同步整流控制和高频操作。此外,MIC4605-1YMT T5采用了自举浮动结构,支持高侧MOSFET的高效驱动,适用于升压、半桥和全桥拓扑结构。
该芯片还内置欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止MOSFET在非理想条件下工作。其输入端具有施密特触发器设计,提高了抗噪声能力,确保信号的稳定传输。MIC4605-1YMT T5的封装设计紧凑,适合高密度PCB布局,同时具备良好的热性能,可在高负载条件下保持稳定工作。
此外,该器件支持死区时间控制,防止上下桥臂同时导通造成的直通电流,从而提升系统安全性。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平,可与多种控制器配合使用,增强了系统设计的灵活性。
MIC4605-1YMT T5广泛应用于各种高性能电源管理系统,包括同步降压/升压转换器、DC-DC变换器、电机驱动器、电池充电器、服务器电源、电信设备电源、分布式电源系统以及工业自动化控制系统等。其高频率响应和低延迟特性也使其适用于PWM控制的高效率电源拓扑,如LLC谐振转换器和同步整流模块。
Si8235BB-D-ISR, IR2004SPBF, TC4420COA, NCP8104DR2G