时间：2025/5/7 10:27:12
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PESD2ETH1G-TR是Nexperia公司生产的一种高性能的双向静电放电(ESD)保护二极管阵列。该器件专为高速数据线路和接口提供强大的瞬态电压抑制保护，特别适用于以太网和其他高速通信系统。PESD系列采用超低电容设计，确保在高频应用中不会对信号完整性产生明显影响。
此型号具有出色的响应速度，能够有效防止由ESD事件引起的损坏或性能下降，从而提高系统的可靠性和稳定性。
工作电压：5.5V
峰值脉冲电流：30A
最大箝位电压：17V
电容：0.4pF
响应时间：小于1ns
封装形式：SOT363 (SC-70)
PESD2ETH1G-TR具有以下显著特点：
1. 超低电容设计使其非常适合用于高速数据线的保护，避免信号失真。
2. 极快的响应时间（<1ns）可以迅速捕获并抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的双向保护结构支持正负双向过电压防护。
4. 小型化封装（SOT363）节省了PCB空间，适合现代紧凑型设计需求。
5. 符合RoHS标准，并且具备优异的抗重复浪涌能力，保证长期使用中的稳定性与可靠性。
PESD2ETH1G-TR广泛应用于需要高数据速率和低电容保护的各种场景中，包括但不限于：
1. 以太网端口（如RJ45连接器）保护。
2. USB 3.0/3.1等高速数据接口的ESD防护。
3. HDMI、DisplayPort及其他多媒体接口的瞬态电压抑制。
4. 工业自动化设备中的通信链路保护。
5. 消费类电子产品的输入输出端口防护。
PESD2USB30TLC, PESD2HDMI1G
