时间：2025/7/24 19:18:49
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CHV30N 是一款由 Central Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、LED 照明驱动以及 DC-DC 转换器等应用场景。CHV30N 采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够承受较高的工作电流和电压。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：20V
最大连续漏极电流 Id：120A
导通电阻 Rds(on)：5.3mΩ（典型值）
最大功率耗散 Pd：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
CHV30N 的最大漏源电压为 30V，使其适用于低压功率应用，如电池供电系统和车载电子设备。其最大栅源电压为 20V，具有良好的栅极驱动兼容性，适合与多种类型的驱动电路配合使用。该器件的最大连续漏极电流可达 120A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率输出场景。CHV30N 的导通电阻仅为 5.3mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该 MOSFET 具有较低的开关损耗，支持高频开关操作，适用于高速开关电路。
CHV30N 的最大功率耗散为 200W，在良好的散热条件下可以稳定运行。其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，具备较强的环境适应能力，可在恶劣的工业环境中可靠工作。TO-220 封装形式不仅便于安装和散热管理，还提供了良好的机械稳定性。
CHV30N 常用于多种功率控制应用，例如电动车控制器、直流电机驱动器、LED 照明调光系统、电源管理系统以及 DC-DC 转换器。它也适用于需要高电流和低导通损耗的电池管理系统，如 UPS（不间断电源）和太阳能逆变器。在汽车电子系统中，CHV30N 可用于电动助力转向系统、车载充电器和车灯控制模块。
IRF30N, STP30NF06, FDP30N
