PJESDA5V6-4G T/R 是一种静电放电(ESD)保护二极管阵列,专为高速数据线路和敏感电子设备的瞬态电压保护而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术,能够在极短的时间内将高能量的静电放电引导至地,从而保护后续电路不受损坏。PJESDA5V6-4G T/R 通常用于USB接口、HDMI、以太网和其他高速通信端口的ESD保护。该器件采用小型SOT-23封装,适用于空间受限的应用场景。
工作电压:5.6V
最大钳位电压:13.3V @ Ipp=1A
峰值脉冲电流(Ipp):1A
响应时间:<1ns
反向漏电流:最大100nA @ VRWM=5.6V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
PJESDA5V6-4G T/R 的主要特性包括优异的ESD保护性能、超低的电容以及快速响应能力。其工作电压为5.6V,能够提供稳定的保护,同时不会对正常工作的电路造成干扰。该器件的峰值脉冲电流能力达到1A,能够在极端条件下提供可靠的保护。此外,其响应时间小于1纳秒,确保在静电事件发生时迅速将电压钳制在安全范围内。
该ESD保护二极管的反向漏电流极低,最大仅为100nA,在待机状态下几乎不会消耗额外功率。其低电容特性使其非常适合用于高速数据线路,如USB 2.0、HDMI和以太网等,能够有效防止信号失真或衰减。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,在极端温度条件下仍能保持稳定的性能。
封装方面,PJESDA5V6-4G T/R 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在紧凑的PCB布局中使用。其表面贴装封装也简化了自动化生产和焊接过程。
PJESDA5V6-4G T/R 主要应用于各种需要静电放电保护的电子设备中,包括但不限于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数字相机、机顶盒、显示器和工业控制设备。由于其低电容和高速响应特性,该器件特别适用于USB接口、HDMI端口、以太网连接器、SD卡插槽等高速数据传输接口的ESD保护。
在消费类电子产品中,该ESD保护二极管可有效防止因用户直接接触而产生的静电放电对内部电路造成的损害。在工业设备中,它可用于保护通信接口免受静电和瞬态电压的影响,提高系统的稳定性和可靠性。此外,该器件也可用于汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线等通信接口的保护。
PESD5V0S1BA、NUP4201、TPD3E081、ESD9A