PEMH9,315 时间：2025/9/14 17:25:19 阅读：13

PEMH9,315 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率电源转换和功率开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和良好的热稳定性。其封装形式为 TO-220，便于在各种功率电路中使用，并具备良好的散热性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：100V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：9A（在Tc=25°C时）
　　最大导通电阻(RDS(on))：0.145Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

PEMH9,315 MOSFET采用了先进的沟槽（Trench）技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具备优异的热性能和高可靠性，适合在高温环境下运行。此外，其栅极驱动特性良好，使得开关损耗较低，适用于高频开关应用。TO-220封装形式具有良好的散热能力，适用于需要较大功率耗散的场合。该MOSFET还具备较强的短路和过载能力，增强了系统的稳定性与安全性。
　　PEMH9,315在封装和电气特性上进行了优化，适用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电源管理单元等。其高耐用性和稳定性也使其广泛应用于工业设备、汽车电子和消费类电子产品中。
　　此外，该器件具备较高的抗干扰能力，能够承受较高的dv/dt和di/dt变化率，减少了误触发的可能性，提高了系统在复杂电磁环境下的稳定性和可靠性。这使得PEMH9,315在高性能功率电子系统中表现出色。

应用

PEMH9,315广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统中的电源转换和控制应用，如车载充电器、电动工具和车载逆变器等。在消费类电子产品中，如电源适配器、LED照明驱动和智能家电控制模块中也有广泛应用。