您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HY64SD16160B-DF85EDR

HY64SD16160B-DF85EDR 发布时间 时间:2025/9/2 7:48:15 查看 阅读:6

HY64SD16160B-DF85EDR 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类型,具有较高的数据存取速度和稳定性,适用于需要高速存储器操作的电子设备。该型号的具体配置为16M x 16位,总容量为256MB,适用于需要较大容量高速缓存的场景。

参数

容量:256MB
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  时钟频率:85MHz
  封装尺寸:54引脚
  接口类型:并行接口
  访问时间:85ns
  最大功耗:1.5W

特性

HY64SD16160B-DF85EDR 是一款高性能的DRAM芯片,具备较低的功耗和较强的稳定性,适合在多种工业和通信设备中使用。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性。其同步工作模式可以与系统时钟同步,提高数据传输效率。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低系统功耗,延长设备电池寿命。此外,其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),便于安装在紧凑的电路板上,适合用于嵌入式系统和便携式设备。该芯片的工作温度范围较宽,适用于工业级应用环境。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、嵌入式系统、便携式电子产品以及需要高速存储器的系统中。例如,它可以用于路由器、交换机、工业计算机、医疗设备、测试仪器以及视频处理设备等。由于其高速存取能力和低功耗设计,HY64SD16160B-DF85EDR 在需要频繁读写操作和高性能数据处理的应用场景中表现优异。

替代型号

IS42S16160B-85TLI

HY64SD16160B-DF85EDR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价