时间：2025/9/2 7:48:15
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HY64SD16160B-DF85EDR 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类型，具有较高的数据存取速度和稳定性，适用于需要高速存储器操作的电子设备。该型号的具体配置为16M x 16位，总容量为256MB，适用于需要较大容量高速缓存的场景。
容量：256MB
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
工作电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
时钟频率：85MHz
封装尺寸：54引脚
接口类型：并行接口
访问时间：85ns
最大功耗：1.5W
HY64SD16160B-DF85EDR 是一款高性能的DRAM芯片，具备较低的功耗和较强的稳定性，适合在多种工业和通信设备中使用。该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具备良好的抗干扰能力和稳定性。其同步工作模式可以与系统时钟同步，提高数据传输效率。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低系统功耗，延长设备电池寿命。此外，其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），便于安装在紧凑的电路板上，适合用于嵌入式系统和便携式设备。该芯片的工作温度范围较宽，适用于工业级应用环境。
该芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、嵌入式系统、便携式电子产品以及需要高速存储器的系统中。例如，它可以用于路由器、交换机、工业计算机、医疗设备、测试仪器以及视频处理设备等。由于其高速存取能力和低功耗设计，HY64SD16160B-DF85EDR 在需要频繁读写操作和高性能数据处理的应用场景中表现优异。
IS42S16160B-85TLI
