时间：2025/8/12 18:07:51
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QCN-5021-0-DRQFN100B-TR-03-0 是一款由Qorvo公司设计的高性能射频（RF）前端模块（FEM），适用于5G通信系统。该模块集成了射频开关、低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA），支持高频段的无线通信应用。该封装为DRQFN100B，采用100引脚封装形式，具备优异的热管理和射频性能，适合高密度PCB布局。
工作频率：3.3 GHz - 4.2 GHz
输出功率：24 dBm（典型值）
增益：30 dB（典型值）
噪声系数：2.5 dB（典型值）
供电电压：3.3 V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：DRQFN100B（100引脚）
阻抗：50Ω
QCN-5021-0-DRQFN100B-TR-03-0 是一款专为5G NR频段设计的射频前端解决方案，具备高度集成的射频组件。该芯片支持频段n77、n78和n79，适用于Sub-6GHz 5G通信系统。其内部集成了高线性度功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）和高性能射频开关，能够有效支持上行和下行链路。该模块采用先进的GaAs和CMOS工艺制造，具备良好的线性度、效率和热稳定性。
在性能方面，QCN-5021具有高输出功率和低噪声系数，确保信号传输的稳定性和清晰度。其PA部分能够在3.3V供电下提供高达24dBm的输出功率，并具有良好的ACLR和EVM性能，满足5G通信对高数据速率和低误码率的要求。LNA部分则提供低噪声系数和高增益，提升接收灵敏度。射频开关具有低插入损耗和高隔离度，确保信号路径的高效切换。
此外，该模块具有良好的热管理设计，能够有效散热，适应高功率工作环境。其DRQFN100B封装形式提供了良好的电气连接和机械稳定性，便于在紧凑型基站和用户终端设备中使用。芯片内部还集成了多种保护电路，包括过压保护、过流保护和温度保护，提高系统可靠性。
QCN-5021-0-DRQFN100B-TR-03-0 主要应用于5G宏基站、微基站、毫米波通信模块、CPE（客户终端设备）以及工业级无线通信设备。它适用于需要高性能射频前端的无线基础设施，如大规模MIMO系统、波束赋形天线系统和5G FWA（固定无线接入）设备。该芯片也可用于测试设备和射频测量仪器中，作为高性能射频前端模块。
QCN-5021-0-DRQFN100B-TR-03, QCN-5021-0-DRQFN100B
