时间：2025/9/14 18:10:06
阅读：16
BUK7Y1R4-40H 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率 MOSFET，属于 Logic Level N-Channel MOSFET 系列。该器件专为需要高效开关性能和低导通电阻的应用设计，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：160A（最大）
导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7Y1R4-40H 具备多项显著特性，使其在功率管理领域具有广泛应用。其核心特性包括低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性。
首先，该器件的导通电阻非常低，典型值仅为 1.4mΩ，能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这使其非常适合用于高功率应用，例如电动车辆的功率管理系统、工业电机驱动和直流电源转换器。
其次，BUK7Y1R4-40H 的最大漏极电流可达 160A，具备极强的电流处理能力。这一特性使其在需要高功率输出的场合表现优异，如大功率电源、电池管理系统和负载开关控制。
此外，该 MOSFET 支持 10V 栅极驱动电压，确保在逻辑电平控制下仍能实现完全导通，提高开关性能并减少功耗。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）增强了在恶劣环境下的可靠性，适合用于汽车电子系统，如车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电器等。
最后，BUK7Y1R4-40H 采用先进的封装技术，具备良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。这不仅延长了器件的使用寿命，还提高了系统的整体稳定性。
BUK7Y1R4-40H 被广泛应用于多个高功率和高性能要求的领域。在汽车电子中，该器件常用于电动车辆的电池管理系统（BMS）、电机控制器和车载充电器。在工业自动化领域，BUK7Y1R4-40H 适用于大功率电源转换、逆变器系统以及工业电机驱动控制。此外，它还常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统和高功率 DC-DC 转换器等电力电子设备中。
STP150N4F5-1, IPP114N10N3-03, BSC090N04LS
