时间：2025/9/14 10:49:40
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PEMH18,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能射频功率晶体管，主要用于射频放大器和功率放大应用。这款器件采用了先进的 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具备高效率、高线性度和高可靠性，适用于无线通信基础设施、广播系统以及工业和科学设备中的射频功率放大需求。PEMH18,115 是一款 N 沟道增强型射频功率 MOSFET，在设计上优化了在高频下的性能表现。
类型：射频功率MOSFET
技术：LDMOS
漏源电压（Vds）：180V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：25A
输出功率（CW）：典型值 18W @ 2.1GHz
频率范围：1.8GHz 至 2.7GHz
增益：典型值 22dB @ 2.1GHz
效率：典型值 65% @ 2.1GHz
封装类型：TO-247
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
PEMH18,115 采用先进的 LDMOS 工艺制造，具备优异的射频性能和高稳定性。该器件在 1.8GHz 至 2.7GHz 频率范围内表现出良好的功率放大能力，能够提供高达 18W 的连续波输出功率。其高增益特性（典型值 22dB）使其适用于多级放大电路中的驱动级或最终功率放大级。此外，该器件具有高效率（典型值 65%），有助于降低功耗并提高系统的整体能效。
PEMH18,115 的热阻较低，具有良好的散热性能，能够在高功率密度下稳定工作。其 TO-247 封装形式便于安装和散热管理，适用于各种高可靠性应用场景。该器件还具有良好的线性度，适用于对信号失真要求较高的通信系统，如 LTE、WCDMA 和 WiMAX 基站等。
此外，PEMH18,115 具有良好的抗失真能力和高稳定性，适合在宽温度范围内工作（-65°C 至 +150°C），使其适用于各种恶劣环境下的射频应用。其高栅极驱动能力使其易于与标准射频驱动电路配合使用，降低了系统设计的复杂性。
PEMH18,115 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器，如蜂窝基站（包括 LTE、WCDMA、CDMA2000）、WiMAX 基站和广播系统。它也适用于工业和科学设备中的射频功率放大应用，如射频测试设备、医疗射频设备和射频加热系统。
该器件适用于多频段和宽带射频放大系统，尤其适合工作在 1.8GHz 至 2.7GHz 频率范围内的应用。其高效率和高线性度特性使其成为现代通信系统中提高频谱效率和降低功耗的理想选择。此外，PEMH18,115 也可用于射频放大器模块的开发，适用于射频功率放大器的驱动级或输出级设计。
PEMH18A,115
PEF2818T
PEF2818S
