时间：2025/9/13 6:53:34
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AP9938GEO 是一款由 Diodes 公司（原 Alpha & Omega Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等领域。该器件采用高性能的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：100A
导通电阻 Rds(on)：@4.5V：5.5mΩ（最大）；@2.5V：7.5mΩ（最大）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerPAK? SO-8 双片封装
AP9938GEO 具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻 Rds(on) 显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率，尤其在高电流应用中表现突出。其次，该 MOSFET 支持较高的栅极驱动电压（最高 ±20V），确保在不同应用场景下仍能保持稳定的导通性能。
该器件采用 PowerPAK? SO-8 双片封装技术，提供了优异的散热性能，有助于在高功率条件下维持较低的工作温度，延长器件寿命。同时，这种封装形式也节省了 PCB 空间，适合紧凑型设计。
AP9938GEO 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。此外，其具备良好的雪崩能量承受能力，提高了器件在突发过压或反向电动势情况下的可靠性。
该 MOSFET 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应了工业级和汽车电子应用中严苛的环境条件。
AP9938GEO 广泛应用于多种高功率和高效率要求的电子系统中。典型应用场景包括同步整流 DC-DC 降压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及服务器电源和电信设备电源模块。此外，由于其良好的热性能和高电流承载能力，也常用于汽车电子系统中的功率控制单元，如车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器模块。
在电源管理领域，该器件常用于多相供电系统中，以提升整体转换效率并减少热量积聚。在工业自动化和电机控制中，AP9938GEO 可作为高边或低边开关，实现对负载的高效控制。其低导通电阻和高耐流能力也使其成为高密度电源模块设计的理想选择。
SiSS110, AO4406, IPB013N04NG, FDS6680
