PEMD6,115 时间：2025/9/14 4:13:48 阅读：10

PEMD6,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道双向保护二极管阵列，主要用于电子设备中防止静电放电（ESD）、浪涌电压及其他瞬态干扰对敏感电路造成损害。该器件采用小型无引脚封装（DFN1006BD-6），适用于便携式设备和高密度电路板设计。PEMD6,115 专为高速数据线和电源线提供高效保护，同时保持低电容特性，以确保信号完整性。

参数

类型：双向 ESD 保护二极管阵列
　　工作电压：5.0 V
　　钳位电压（Vc）：13.3 V（典型值）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1.5 A（每通道）
　　反向关态电压（VRWM）：5.0 V
　　漏电流（IR）：最大 100 nA
　　电容（C）：25 pF（典型值）
　　封装：DFN1006BD-6
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

PEMD6,115 的主要特性是其双通道双向 ESD 保护能力，适用于需要双向保护的差分信号线路。其低钳位电压确保在发生瞬态电压时，受保护设备上的电压不会超过安全范围，从而避免损坏敏感电路。此外，该器件具有极低的漏电流（最大 100 nA），在正常工作条件下对电路性能影响极小。
　　该芯片的电容值为 25 pF，适合用于高速数据传输线路，如 USB、HDMI 和其他数字接口，不会引起明显的信号失真或延迟。其小型 DFN 封装（仅 1 mm x 0.6 mm）使得它非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　PEMD6,115 采用符合 RoHS 标准的无铅封装，支持自动化贴片工艺，并具有良好的热稳定性和长期可靠性。其额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业和消费类应用场景。

应用

PEMD6,115 主要用于消费类电子产品中的高速数据线和电源线保护，如智能手机、平板电脑、数码相机和便携式音频设备。在这些应用中，它能够有效防止静电放电、开关瞬态和电感负载引起的电压尖峰对敏感集成电路造成损害。
　　此外，该器件也广泛应用于工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中的接口保护，如 CAN 总线、RS-485 和 USB 接口。其低电容特性使其适用于保护高速信号线路，如 HDMI、DisplayPort 和以太网接口，以确保信号完整性和系统稳定性。
　　由于其小型封装和高可靠性，PEMD6,115 也常用于可穿戴设备和物联网（IoT）设备中，为敏感的无线模块和传感器接口提供必要的保护，防止因静电或瞬态电压引起的故障或损坏。