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HY27UU08AG5A 发布时间 时间:2025/9/2 6:51:58 查看 阅读:9

HY27UU08AG5A是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,主要用于嵌入式存储和固态存储解决方案。该芯片属于8GB容量的NAND闪存产品,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、存储卡和USB闪存驱动器等场景。这款芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装,支持高速数据读写操作,并且具备较高的可靠性和耐用性。HY27UU08AG5A采用了52nm制造工艺,是一款多层单元(MLC)闪存芯片,提供了比单层单元(SLC)闪存更高的存储密度和更低的成本,同时在性能和寿命方面优于传统的TLC(Triple-Level Cell)闪存。

参数

容量:8GB
  接口类型:ONFI 1.0兼容
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.7V - 3.6V
  读取速度:最高50MB/s
  写入速度:最高20MB/s
  擦除速度:1ms per block
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

HY27UU08AG5A作为一款MLC NAND闪存芯片,具备多个显著的技术特性和优势。首先,其采用MLC(Multi-Level Cell)技术,每个存储单元可存储2位数据,相较于SLC(Single-Level Cell)具有更高的存储密度,从而降低了单位存储成本,同时在使用寿命和数据可靠性方面优于TLC(Triple-Level Cell)产品。这使得HY27UU08AG5A非常适合需要较高耐用性和稳定性的应用环境。
  其次,该芯片支持ONFI(Open NAND Flash Interface)1.0标准接口协议,确保了与其他控制器和系统的兼容性,便于设计集成和扩展。此外,HY27UU08AG5A的TSOP封装形式具有较小的体积和良好的电气性能,适合嵌入式系统和便携式设备的使用。
  其工作电压范围为2.7V至3.6V,能够适应多种电源环境,具有良好的稳定性和兼容性。芯片的读取速度最高可达50MB/s,写入速度最高为20MB/s,足以满足大多数嵌入式应用的性能需求。擦除操作的块擦除时间为1ms,确保了快速的数据管理能力。
  此外,HY27UU08AG5A具有较宽的工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于各种工业环境,包括极端温度条件下的应用场景。

应用

HY27UU08AG5A因其高性能、高可靠性和广泛兼容性,被广泛应用于多个领域。在消费电子方面,该芯片可用于U盘、SD卡、MP3播放器、数码相机等设备,作为数据存储的核心组件。在工业控制领域,HY27UU08AG5A可作为嵌入式系统的存储介质,用于工业计算机、自动化设备、数据采集系统等,提供稳定的数据存储能力。
  此外,该芯片也可用于车载系统,如车载导航、行车记录仪、车载娱乐系统等,适应车辆运行中的复杂环境。在通信设备中,HY27UU08AG5A可以作为存储模块,用于路由器、交换机、基站设备等的固件和配置数据存储。
  由于其具备较高的耐用性和较长的使用寿命,HY27UU08AG5A也被广泛应用于需要频繁读写操作的场景,如视频监控系统的本地存储、数据日志记录器等设备。

替代型号

K9K8G08U0A, TC58NVG1S3HRAIG, MT29F8G08ABADB

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