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PDZ9.1B,115 发布时间 时间:2025/9/14 19:11:19 查看 阅读:14

PDZ9.1B,115 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)制造的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),其稳压值为9.1V。该器件广泛用于需要电压参考或电压调节的小型电子设备中,例如在电源管理电路、电池充电系统、微控制器单元(MCU)供电电路中提供稳定的电压参考。PDZ9.1B,115 采用SOD-323封装,适用于表面贴装技术(SMT),具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点。该型号属于PDZ系列,是高精度和高可靠性的稳压二极管解决方案。

参数

类型:齐纳二极管(稳压二极管)
  电压 - 齐纳(标称值):9.1V
  容差:±2%
  功率 - 最大:300mW
  工作温度:-65°C ~ 150°C
  安装类型:表面贴装
  封装/外壳:SOD-323
  供应商器件封装:SOD-323
  齐纳电流(Iz):5mA
  动态电阻(Rz):15Ω(最大)
  泄漏电流(Ir):100nA(最大)@ Vr=5.5V

特性

PDZ9.1B,115 是一款高性能的表面贴装齐纳二极管,具备高精度和良好的温度稳定性,适用于多种电子系统的电压参考和调节应用。
  首先,该器件的齐纳电压为9.1V,容差为±2%,能够提供精确且稳定的电压基准,适用于对电压精度要求较高的场合,例如模数转换器(ADC)、电压检测电路或精密电源电路。其齐纳电流(Iz)为5mA,在此电流下可保证稳定的电压输出。
  其次,该稳压二极管采用SOD-323封装,具有较小的封装体积,适合在空间受限的便携式电子产品中使用,如智能手机、穿戴设备、医疗仪器等。此外,该封装支持表面贴装工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。
  另外,PDZ9.1B,115 的最大功率耗散为300mW,能够在较宽的温度范围内工作(-65°C 至 150°C),表现出良好的热稳定性和可靠性。其动态电阻(Rz)最大为15Ω,确保在负载变化时维持较小的电压波动,从而提高系统的稳定性。同时,泄漏电流(Ir)在反向电压为5.5V时最大为100nA,具有较低的漏电流特性,适合用于低功耗电路设计。
  该器件还具备快速响应能力,适合用于瞬态电压抑制和稳压保护电路,能有效防止电压波动对下游电路造成损害。

应用

PDZ9.1B,115 可广泛应用于各种电子系统中,作为电压参考源或稳压元件。在电源管理电路中,它可用于为微控制器、运算放大器、ADC/DAC等关键组件提供稳定的参考电压,确保系统运行的准确性与稳定性。在电池供电设备中,该稳压二极管可用于监测电池电压或作为稳压调节元件,防止电压波动影响设备正常工作。
  此外,该器件也可用于过压保护电路,防止外部电源或瞬态电压对电路造成损害。在通信设备、工业控制系统、传感器接口电路中,PDZ9.1B,115 可作为电压钳位元件,确保信号传输的稳定性。
  由于其表面贴装封装和高可靠性,PDZ9.1B,115 特别适合用于高密度PCB布局设计,如消费电子产品、汽车电子模块、便携式测量仪器、智能穿戴设备等应用场景。

替代型号

BZV55-B9V1, LNZ9.1B, MMSZ5239B-T1

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PDZ9.1B,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 6V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大400mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称934054858115PDZ9.1B T/RPDZ9.1B T/R-ND