您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SQCB7A9R1CA1WE

SQCB7A9R1CA1WE 发布时间 时间:2025/5/28 17:04:18 查看 阅读:9

SQCB7A9R1CA1WE 是一款由知名半导体厂商生产的高效能功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型器件。该芯片主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关等需要高效率和低损耗的场景。其设计优化了导通电阻和栅极电荷特性,从而在高频开关应用中表现出色。此外,SQCB7A9R1CA1WE 还具有出色的热性能和可靠性,适用于多种工业及消费类电子设备。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:9A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷:35nC
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263

特性

SQCB7A9R1CA1WE 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功耗并提高系统效率。
  2. 出色的热稳定性,确保在高温环境下长期可靠运行。
  3. 快速开关性能,适合高频应用场景。
  4. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  5. 小型化封装,便于 PCB 布局和空间优化。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

SQCB7A9R1CA1WE 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  6. 消费类电子产品中的高效电源管理方案。

替代型号

SQCB7A9R1CA1WB, IRF7843, FDP010N06L

SQCB7A9R1CA1WE推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SQCB7A9R1CA1WE参数

  • 制造商AVX
  • 电容9.1 pF
  • 容差0.25 pF
  • 电压额定值500 Volts
  • 温度系数/代码+/- 30 PPM / C
  • 产品Low ESR MLCCs
  • 封装Waffle
  • 尺寸2.79 mm W x 2.79 mm L x 0.762 mm H
  • 工厂包装数量80
  • 端接类型SMD/SMT