PDZ5.6B115 时间：2025/9/14 6:54:28 阅读：15

PDZ5.6B115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的表面贴装（SMD）双极型晶体管，属于 NPN 型高频晶体管。该晶体管专为高频放大和开关应用设计，适用于射频（RF）和中频（IF）电路，广泛用于通信设备、音频放大器和消费类电子产品中。PDZ5.6B115 采用 SOT-416 封装，具备低噪声、高增益和优良的高频响应特性，适合在高频环境下工作的电路。

参数

类型：NPN 型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：75V
　　发射极-基极电压（VEBO）：3V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-416
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）

特性

PDZ5.6B115 晶体管具备多项优良的电气特性，使其适用于高频放大和开关应用。首先，其高增益带宽积达到 250MHz，能够支持高频信号的放大和处理，适用于射频和中频电路。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从 110 到 800，可根据具体应用选择合适的增益档位，提高电路设计的灵活性。
　　此外，PDZ5.6B115 的封装形式为 SOT-416，这是一种小型化的表面贴装封装，便于自动化生产和 PCB 布局，同时具备良好的热稳定性和机械强度。该晶体管的最大集电极电流为 100mA，适用于低功耗、高频应用场合，如音频前置放大器、射频信号放大器和数字开关电路。
　　在可靠性方面，PDZ5.6B115 具备较高的电压耐受能力，集电极-发射极电压（VCEO）可达 50V，集电极-基极电压（VCBO）高达 75V，确保在较高电压环境下仍能稳定工作。同时，该晶体管的低噪声特性也使其适用于需要高信号完整性的应用场景。

应用

PDZ5.6B115 主要应用于高频电子电路中，包括射频（RF）和中频（IF）放大器、前置放大器、音频放大器、数字开关电路和振荡器等。该晶体管特别适合用于无线通信设备中的高频信号放大，如无线基站、Wi-Fi 模块和蓝牙模块等。此外，在消费类电子产品中，PDZ5.6B115 可用于音频放大电路中的前置放大级，提供高增益和低噪声性能。
　　在工业控制和自动化设备中，该晶体管也可用于高速开关电路，驱动继电器、LED 显示屏或其他低功耗负载。由于其 SOT-416 封装体积小，PDZ5.6B115 非常适合空间受限的设计，如手持设备和便携式电子产品。在汽车电子领域，该晶体管可用于车载娱乐系统、远程通信模块和传感器接口电路等应用。