PDZ4.7BGWJ是一款由NXP Semiconductors生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中的精密稳压应用。该器件具有4.7V的齐纳电压,适合在低功耗电路中使用。PDZ4.7BGWJ采用了SOD-323(SC-76)封装,是一种小型化、高稳定性的表面贴装器件,广泛应用于便携式电子设备和通信系统中。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):4.7 V
最大耗散功率(Ptot):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-323(SC-76)
引脚数:2
最大反向漏电流(IR):100 nA(在Vz-5%时)
齐纳阻抗(Zzt):90 Ω(典型值)
PDZ4.7BGWJ是一款高精度、低功耗的齐纳二极管,其主要特性包括稳定的齐纳电压、低动态阻抗和良好的温度稳定性。该器件的齐纳电压为4.7V,公差范围通常在±5%以内,确保了在关键电路中的精确电压控制。其SOD-323封装形式不仅节省空间,而且具有良好的热性能,适用于高密度PCB设计。
该齐纳二极管具有较低的反向漏电流,通常在100nA以下,使得在高温或高阻抗电路中也能保持良好的稳定性。其最大功耗为300mW,支持在多种低功耗应用中使用。此外,PDZ4.7BGWJ具备良好的瞬态响应能力,能够在电源波动或负载突变的情况下保持电压稳定,适合用于电源管理、参考电压源、电压检测等电路。
这款器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应于各种恶劣环境下的应用,具有很高的可靠性和稳定性。其结构设计符合RoHS标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子制造对环保材料的要求。
PDZ4.7BGWJ广泛应用于需要精密电压调节和保护的电子系统中。典型应用包括电池供电设备中的电压参考源、DC-DC转换器中的反馈调节、过压保护电路以及模拟电路中的偏置电压稳定等。
由于其小型化封装和良好的电气性能,PDZ4.7BGWJ常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于维持系统电压稳定,防止电压波动导致的异常工作。在通信设备中,它可用于稳压电路以确保射频模块和数据转换器的正常运行。
此外,PDZ4.7BGWJ也适用于工业控制系统中的传感器信号调理电路,作为参考电压源提供稳定的基准电压,确保测量精度。在汽车电子中,它可用于车载电源管理模块,防止电压瞬变对敏感电子元件造成损害。
PDZ4.7B, BZX84C4V7, MMSZ4735A, 1N4735A