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2N7002KCQ 发布时间 时间:2025/7/22 12:23:59 查看 阅读:7

2N7002KCQ 是一款由ONSEMI(安森美半导体)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关以及各种数字控制电路中。该器件采用SOT-23封装形式,适合表面贴装工艺,具有较高的可靠性和热稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):110mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

2N7002KCQ 具备多个优良的电气和物理特性。首先,其60V的漏源电压允许该MOSFET在中高压应用中稳定工作,适用于多种电源管理场合。其次,栅源电压最大为±20V,提供了良好的栅极控制能力,防止过压损坏。该器件的漏极电流为110mA,适用于小功率开关应用。其SOT-23封装结构不仅节省空间,而且便于集成到高密度PCB设计中。
  此外,2N7002KCQ 的热阻较低,有助于提高热效率,确保在持续工作时不会因过热而失效。该器件的开关速度快,导通电阻低,使得其在高频开关应用中表现出色。同时,其静态电流低,有助于降低功耗,提高能效。由于其良好的耐压性能和稳定的开关特性,2N7002KCQ 常用于工业控制、消费电子、汽车电子以及通信设备中。

应用

2N7002KCQ MOSFET主要应用于各种开关电路、DC-DC转换器、LED驱动、继电器驱动、电机控制、电源管理模块以及微处理器外围电路中。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的开关性能,它特别适用于需要低压控制信号驱动高压负载的场合,如智能电表、电池管理系统、嵌入式控制系统和自动化设备中的信号切换。此外,该器件也常用于保护电路中的负载开关控制,以防止电流反灌或过载损坏系统。

替代型号

2N7002, BSS138, 2N7000, FDV301N, NDS355AN

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