2N7002KCQ 时间：2025/7/22 12:23:59 阅读：7

2N7002KCQ 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器、负载开关以及各种数字控制电路中。该器件采用SOT-23封装形式，适合表面贴装工艺，具有较高的可靠性和热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

2N7002KCQ 具备多个优良的电气和物理特性。首先，其60V的漏源电压允许该MOSFET在中高压应用中稳定工作，适用于多种电源管理场合。其次，栅源电压最大为±20V，提供了良好的栅极控制能力，防止过压损坏。该器件的漏极电流为110mA，适用于小功率开关应用。其SOT-23封装结构不仅节省空间，而且便于集成到高密度PCB设计中。
　　此外，2N7002KCQ 的热阻较低，有助于提高热效率，确保在持续工作时不会因过热而失效。该器件的开关速度快，导通电阻低，使得其在高频开关应用中表现出色。同时，其静态电流低，有助于降低功耗，提高能效。由于其良好的耐压性能和稳定的开关特性，2N7002KCQ 常用于工业控制、消费电子、汽车电子以及通信设备中。

应用

2N7002KCQ MOSFET主要应用于各种开关电路、DC-DC转换器、LED驱动、继电器驱动、电机控制、电源管理模块以及微处理器外围电路中。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的开关性能，它特别适用于需要低压控制信号驱动高压负载的场合，如智能电表、电池管理系统、嵌入式控制系统和自动化设备中的信号切换。此外，该器件也常用于保护电路中的负载开关控制，以防止电流反灌或过载损坏系统。