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PDZ10B,115 发布时间 时间:2025/12/28 14:25:03 查看 阅读:12

PDZ10B,115 是一款由NXP Semiconductors(原Philips)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD323封装,适用于需要精确电压调节的小型电子设备。PDZ10B,115的标称齐纳电压为10V,具备低动态电阻和良好的温度稳定性,适合在各种模拟电路和电源管理系统中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:10V
  容差:±5%
  最大耗散功率:300mW
  最大齐纳电流:20mA
  动态电阻:约10Ω
  工作温度范围:-65°C ~ +150°C
  封装形式:SOD323
  引脚数:2

特性

PDZ10B,115 是一款高性能齐纳二极管,具有出色的电压稳定性和低动态电阻,确保在负载变化时仍能提供稳定的参考电压。
  其SOD323封装设计使其适用于高密度PCB布局,节省空间的同时具备良好的热性能。
  该器件的容差为±5%,确保在工业和消费类应用中具有较高的精度。
  此外,PDZ10B,115 的最大耗散功率为300mW,在不超过额定电流的情况下可提供可靠的稳压性能。
  其温度系数较低,能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于恶劣环境下的电子设备。

应用

PDZ10B,115 常用于电源稳压电路、电压参考源、电池供电设备、测量仪器、放大器偏置电路、嵌入式系统、工业控制系统以及消费类电子产品中。由于其高精度和稳定性,它也适用于需要参考电压的ADC/DAC电路和传感器接口电路。

替代型号

BZV55-C10, L78L10, LM385-1.2, LM4040-10

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PDZ10B,115产品

PDZ10B,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 7V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大400mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C