PJSD12 T/R 时间：2025/8/15 4:50:17 阅读：17

PJSD12 T/R 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频（RF）晶体管。这款晶体管专门设计用于高频放大和射频功率应用，具有优异的高频性能和稳定性。由于其紧凑的封装形式和出色的射频特性，PJSD12 T/R 常用于无线通信系统、射频模块和射频测试设备中。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　射频功率：25W
　　频率范围：DC 至 1GHz
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：1.5A
　　增益（hFE）：典型值为 50 至 250（根据工作条件）
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

PJSD12 T/R 具有出色的高频性能，可在高达 1 GHz 的频率下稳定工作，适用于各种射频功率放大应用。
　　该晶体管具备较高的输出功率能力，可提供高达 25W 的射频功率输出，适用于中功率射频发射器和放大器电路。
　　其 TO-220AB 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率工作条件下的稳定性与可靠性。
　　PJSD12 T/R 的 hFE（电流增益）范围为 50 至 250，具有良好的线性度和增益控制能力，适合用于线性放大器和射频信号增强电路。
　　此外，该器件具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级和通信级应用。

应用

PJSD12 T/R 主要应用于射频功率放大器、无线通信设备、射频测试仪器、射频信号发生器以及各类射频发射模块。
　　它也广泛用于蜂窝通信系统、Wi-Fi 路由器、RFID 读写器、射频加热设备以及各类射频感应系统。
　　在业余无线电设备中，该晶体管常用于 HF 和 VHF 频段的功率放大级，提供稳定可靠的射频输出。
　　此外，该器件还可用于音频放大器的高保真输出级，适用于对高频响应有较高要求的音频设备。