时间：2025/8/2 5:00:23
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GT090N06K是一款由Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。GT090N06K采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，以实现更低的导通损耗和更高的开关性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：90A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为6.8mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
GT090N06K功率MOSFET具有多项优异的电气和热性能特性，首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用。其次，该器件具备高耐压能力，漏源电压（VDS）最高可达60V，确保在各种高压开关环境下稳定运行。
此外，GT090N06K采用了先进的沟槽式工艺技术，优化了电场分布，提高了器件的雪崩能量承受能力和短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。其高栅极电压容限（±20V）使得在驱动电路设计上更加灵活，降低了因过电压而导致器件损坏的风险。
在封装方面，GT090N06K采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热管理性能，有助于快速散热，延长器件寿命，并支持自动化装配流程，适用于高密度PCB布局。此外，该封装还具备优异的机械强度和环境适应性，适合工业级和汽车电子应用。
GT090N06K广泛应用于多个领域，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、LED照明驱动、工业自动化设备以及电动汽车（EV）充电模块等。其优异的导通和开关性能使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择。
在汽车电子中，GT090N06K可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及DC-AC逆变器等关键部件，满足汽车应用对高可靠性和高耐温性能的严苛要求。此外，其优异的热管理和封装稳定性也使其在高振动和高温环境中表现出色。
Si9986DY-T1-E3, IRF3710PBF, FDS6680, IPW65R045C6
