时间：2025/4/28 13:26:37
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NVTFS5116PLTAG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沃尔特沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有极低的导通电阻和高开关速度，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。其采用符合行业标准的 TO-263 封装形式，提供出色的散热性能。
该型号属于 PowerTrench 技术系列，优化了动态和静态特性以满足高性能需求。它在设计中能够显著降低功耗并提高效率。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：9.7A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：8mΩ
总栅极电荷：12nC
输入电容：1240pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
NVTFS5116PLTAG 提供非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使其成为高效能应用的理想选择。同时，该器件的高开关速度可减少开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，其具备良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下长期可靠运行。
主要特点包括：
- 极低的导通电阻 (8mΩ 典型值)，可降低传导损耗。
- 高频操作能力，适用于快速开关场景。
- 增强的雪崩能量能力，提升了系统的鲁棒性。
- 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
- 优化的封装设计有助于改善散热表现。
NVTFS5116PLTAG 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
- 电机驱动电路中的功率级元件。
- 各种负载开关应用，如服务器、通信设备和消费类电子产品。
- 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
- 工业自动化设备中的功率控制单元。
由于其出色的性能，这款 MOSFET 特别适合那些对效率和可靠性有严格要求的设计项目。
NVTFS5118NL, NVTFS5120NL
