时间：2025/9/14 7:43:13
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PDTD113ZQAZ 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术制造。该器件封装为 SC-75（SOT-416），体积小巧，适用于高密度 PCB 设计。PDTD113ZQAZ 以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性著称，适用于需要高效能和低功耗的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流 (Id)：100 mA
最大漏源电压 (Vds)：12 V
最大栅源电压 (Vgs)：±8 V
导通电阻 (Rds(on))：0.35 Ω @ Vgs = 4.5 V
功率耗散 (Pd)：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SC-75（SOT-416）
PDTD113ZQAZ MOSFET 具有多个显著特性，使其在各种应用中表现出色。
首先，该器件的导通电阻非常低，仅为 0.35 Ω，在 Vgs 为 4.5 V 时即可实现高效的电流传输。低 Rds(on) 有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率，并降低发热量。
其次，PDTD113ZQAZ 的小型封装（SC-75）使得它非常适合用于空间受限的设计，例如便携式电子产品、电池供电设备和微型传感器模块。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 -8 V 至 +8 V，确保在数字电路中能够可靠地被驱动，同时具备良好的抗静电能力，提高了器件的耐用性和可靠性。
此外，PDTD113ZQAZ 具有快速的开关响应能力，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和逻辑电平转换电路。其低输入电容（Ciss）和快速的上升/下降时间也有助于降低开关损耗并提高系统响应速度。
PDTD113ZQAZ MOSFET 广泛应用于多个领域。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它被用作负载开关或电源管理电路的一部分，以延长电池寿命。
在工业控制系统中，该器件可用于小型继电器驱动、LED 控制和信号切换等应用。由于其快速开关特性，PDTD113ZQAZ 也适用于低功率 DC-DC 转换器和稳压电路，有助于提高整体效率。
此外，该 MOSFET 还可用于数字电路中的电平转换器，将不同电压域之间的信号进行转换，确保系统的兼容性和稳定性。
在汽车电子领域，PDTD113ZQAZ 可用于传感器信号切换、仪表盘 LED 控制和车载娱乐系统的电源管理，其高可靠性和稳定性使其在严苛环境下也能正常工作。
PDTD113YQAZ, 2N7002, BSS138, FDV301N
