GA1206Y564KXXBT31G 是一款高性能的存储芯片,通常用于需要大容量数据存储和快速访问的应用场景。该型号属于 NAND Flash 存储器系列,广泛应用于消费类电子产品、工业设备及嵌入式系统中。
这款芯片采用先进的制造工艺,具有高可靠性、低功耗以及优异的数据保存能力。其主要功能是提供非易失性存储解决方案,确保在断电后数据不会丢失。
类型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
封装形式:BGA
引脚数:169
数据传输速率:最高可达400MB/s
擦写寿命:3000次(典型值)
工作温度范围:-25°C至85°C
存储温度范围:-40°C至105°C
GA1206Y564KXXBT31G 的一大特点是其大容量存储能力,适合需要处理大量数据的环境。此外,它支持 Toggle DDR 2.0 接口协议,可显著提高数据传输速度。
该芯片还具备低功耗设计,使其非常适合电池供电的便携式设备。
其高可靠性和宽温工作范围也使得它能够在严苛环境下稳定运行,例如汽车电子或工业自动化领域。
此款芯片广泛应用于固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、记忆卡以及各种嵌入式系统中。由于其高效能与大容量特性,在智能手机、平板电脑等移动终端中也有广泛应用。
同时,凭借良好的耐久性和稳定性,它也可用于网络通信设备、监控录像存储以及其他需要长期数据保存的场景。
GA128GADWY564KXWB, KBG30ZMNV128G, H27UCG8T2A