GM6603-ATC3R 时间：2025/7/25 9:05:54 阅读：11

GM6603-ATC3R是一款由Giantec Semiconductor生产的高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，适用于各种需要高效功率管理的场合。该MOSFET封装为TSOP（Thin Small Outline Package），适合在空间受限的应用中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：40mΩ @ VGS=4.5V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP

特性

GM6603-ATC3R功率MOSFET采用了先进的沟槽式工艺技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功率损耗和热量生成。此外，该MOSFET具备优异的开关性能，适用于高频开关电路，能够提高电源转换效率。
　　该MOSFET的TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。其±20V的栅极电压耐受能力使得该器件在使用过程中具有更高的稳定性和可靠性，适用于多种复杂的电源管理系统。
　　此外，GM6603-ATC3R的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、消费电子、便携式设备和电源管理系统等广泛的应用领域。

应用

GM6603-ATC3R广泛应用于各类功率管理电路中，包括但不限于以下领域：
　　1. 电池供电设备中的负载开关和电源管理系统；
　　2. DC-DC转换器、同步整流器和负载点电源（POL）模块；
　　3. 电机驱动电路、LED驱动器和电源适配器；
　　4. 工业控制系统、自动化设备和嵌入式系统中的开关电源；
　　5. 笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中的功率管理模块。