IPP16CN10NG 时间：2025/5/23 9:47:50 阅读：10

IPP16CN10NG 是一款基于沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道功率场效应晶体管 (Power MOSFET)，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用 DPAK 封装，具有低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
　　IPP16CN10NG 的设计旨在满足现代电力电子系统对高性能和高效能的需求，其高电流承载能力和出色的热特性使其非常适合各种工业及消费类应用。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：29nC
　　总电容：1850pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IPP16CN10NG 提供了卓越的电气性能，主要包括以下特点：
　　1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用场合，同时降低了电磁干扰的可能性。
　　3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　4. 符合 RoHS 标准，绿色环保，无铅封装。
　　5. 出色的热稳定性，确保在极端温度条件下仍能可靠运行。
　　6. 内置反向二极管，简化电路设计并减少元件数量。

应用

IPP16CN10NG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 工业控制与自动化设备中的电机驱动。
　　3. LED 照明驱动器，用于实现高效的恒流或恒压输出。
　　4. 太阳能逆变器中的功率级转换。
　　5. 电动车及混合动力车的动力管理模块。
　　6. 各种需要大电流、高效率功率开关的应用场景。