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MRF327 发布时间 时间:2025/9/4 1:55:06 查看 阅读:9

MRF327是一款由摩托罗拉(Motorola)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高频功率放大器和开关电源等领域。该器件采用TO-220AB封装形式,具备良好的热稳定性和高耐压特性,适用于需要高效、高可靠性工作的场合。MRF327具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性,是一款经典的功率MOSFET器件。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):100V
  最大漏极电流(ID):8A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.4Ω
  最大功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220AB
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  输入电容(Ciss):约1000pF
  开关时间:导通延迟时间约10ns,关断延迟时间约35ns

特性

MRF327作为一款高性能功率MOSFET,具有多个显著的技术特性。其N沟道增强型结构提供了良好的导通特性和高效率。最大漏极电压可达100V,使其适用于多种中高电压应用场景。漏极电流额定值为8A,具备较强的电流承载能力,适用于大功率输出电路。该器件的导通电阻(RDS(on))典型值为0.4Ω,能够有效降低导通损耗,提高整体效率。此外,MRF327具备50W的最大功耗能力,适合在高温环境下工作,具有良好的热稳定性。
  其TO-220AB封装形式便于安装和散热管理,适用于工业级和消费类电子设备。栅极阈值电压范围为2V至4V,使得该器件易于驱动,并与常见的控制电路兼容。输入电容约为1000pF,适合高频开关应用,但需要适当优化驱动电路以减少开关损耗。MRF327的开关时间表现良好,导通延迟时间约10ns,关断延迟时间约35ns,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用。

应用

MRF327广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。常见的应用包括高频开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、逆变器、电源管理模块以及工业控制设备。其高耐压和大电流特性也使其适用于音频功率放大器和脉宽调制(PWM)控制电路。由于其良好的热稳定性和封装形式便于散热,MRF327在工业自动化设备、家用电器、通信设备以及汽车电子系统中均有广泛应用。

替代型号

IRFZ44N, FDPF327N, STP8NF10, FQP8N10L

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MRF327参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)33V
  • 频率 - 跃迁-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)-
  • 增益9dB
  • 功率 - 最大值80W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 4A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)9A
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳316-01
  • 供应商器件封装316-01,1 型