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PDTD113ET,215 发布时间 时间:2025/9/14 15:21:53 查看 阅读:23

PDTD113ET,215 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为通用开关和放大应用而设计,具有良好的性能和可靠性,适用于各种电子电路。PDTD113ET,215采用SOT-23(TO-236)封装形式,便于在PCB上安装和使用。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):300mW
  频率响应(fT):100MHz
  封装类型:SOT-23(TO-236)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PDTD113ET,215是一款性能稳定的NPN晶体管,具有较高的频率响应和较低的饱和压降。其100MHz的过渡频率(fT)使其适用于高频放大应用,而50V的VCEO电压额定值则提供了良好的电压承受能力。此外,该晶体管的集电极电流最大为100mA,能够满足大多数中低功率应用的需求。SOT-23封装使其体积小巧,适用于空间受限的设计。晶体管的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间正常工作,适用于各种环境条件。
  这款晶体管的另一个显著特性是其高可靠性,适用于长期运行的工业和消费类电子产品。其低饱和压降特性可以减少功耗并提高效率,使其在开关应用中表现出色。同时,该晶体管具有良好的线性放大特性,适合用于模拟信号放大电路。PDTD113ET,215还具有较低的基极电阻,有助于提高高频性能并降低噪声。此外,其封装设计便于焊接和自动化生产,适用于SMT(表面贴装技术)工艺。

应用

PDTD113ET,215广泛应用于各种电子设备和系统中,适用于开关电路、放大器、逻辑电平转换、LED驱动、继电器驱动、电源管理、传感器接口以及数字电路中的信号处理等场景。由于其高频响应特性,它也常用于射频(RF)前端模块、无线通信设备和音频放大器中。在工业自动化系统中,它可用于控制继电器、指示灯和传感器信号调节。此外,该晶体管也适用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和家用电器中的信号处理和电源控制电路。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A

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PDTD113ET,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)1k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)33 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058975215PDTD113ET T/RPDTD113ET T/R-ND