品牌：SK Hynix
　　型号：H9TKNNNBPDMPQR-NGH
　　内存类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：2GB
　　数据速率：3200Mbps
　　电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：130-ball
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：x16
　　时钟频率：1600MHz
　　数据传输速率：3200MT/s
　　封装高度：标准
　　JEDEC标准：支持

H9TKNNNBPDMPQR-NGH作为LPDDR4内存芯片，具有多项显著的技术优势。首先，它采用了1.1V的低电压设计，相比前代LPDDR3芯片显著降低了功耗，特别适用于对能耗敏感的移动设备和嵌入式系统。其次，其数据传输速率达到3200MT/s，提供了更高的带宽，从而提升了系统的整体性能。此外，该芯片支持x16的数据总线宽度，进一步增强了数据吞吐能力。
　　该芯片还采用了先进的制造工艺，确保在高频工作下的稳定性和可靠性。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式不仅减小了PCB（印刷电路板）的占用空间，还提高了信号完整性和散热性能。此外，H9TKNNNBPDMPQR-NGH支持多种低功耗模式，如深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式，有助于延长设备的电池寿命。
　　在可靠性方面，该芯片具备良好的温度适应能力，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境。其设计符合JEDEC标准，确保了与不同平台和设备的兼容性。

H9TKNNNBPDMPQR-NGH广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统、智能电视、网络路由器、工业控制设备以及车载信息娱乐系统等。由于其高带宽和低功耗特性，特别适合用于多任务处理、高清视频播放、大型图形处理等对内存性能要求较高的场景。

H9HKNNN8BPLDQBR-NGH
　　H9HKNNN8BPLDQBR-NUE
　　H9HKNNN8BPLDQBR-VIA