您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PDTA123JT,215

PDTA123JT,215 发布时间 时间:2025/9/14 21:11:00 查看 阅读:3

PDTA123JT,215 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有良好的稳定性和可靠性,适用于各种电子电路中。PDTA123JT,215 采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,广泛用于便携式设备和小型电子系统。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  电流增益(hFE):80-800(根据不同等级)
  过渡频率(fT):100MHz

特性

PDTA123JT,215 具备多种优良特性,使其在通用晶体管应用中表现出色。
  首先,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从80到800不等,这使其能够适应不同的放大需求,从低增益到高增益电路均可使用。这一特性使得工程师可以根据具体应用选择合适的hFE等级,从而优化电路性能。
  其次,PDTA123JT,215 的过渡频率(fT)为100MHz,表明其在高频应用中也能保持良好的放大性能,适用于中高频放大器和开关电路。
  此外,该晶体管的最大集电极电流为100mA,能够满足多数中低功率电路的需求。其集电极-发射极电压(VCEO)和集电极-基极电压(VCBO)均为50V,使其在中等电压环境下具备良好的耐压能力,提高了电路的稳定性与可靠性。
  该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。同时,其表面贴装封装形式适合自动化生产和回流焊工艺,提高了生产效率和焊接质量。
  最后,PDTA123JT,215 的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用场景。

应用

PDTA123JT,215 主要应用于以下领域:
  1. **信号放大电路**:由于其良好的高频响应和宽泛的电流增益范围,PDTA123JT,215 常用于音频放大器、射频放大器和前置放大器电路中。
  2. **开关电路**:该晶体管可以作为电子开关使用,广泛应用于数字电路、逻辑电路和继电器驱动电路中。
  3. **电源管理**:在DC-DC转换器、负载开关和电源控制电路中,PDTA123JT,215 可用于控制电流流动,实现高效的电源管理。
  4. **传感器接口电路**:在各类传感器电路中,PDTA123JT,215 可用于信号放大和电平转换,提高传感器信号的稳定性和准确性。
  5. **消费类电子产品**:如手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用电器等产品中,作为通用晶体管使用,满足多种功能需求。
  6. **汽车电子系统**:包括车载控制模块、车载娱乐系统和车身电子系统等,适用于需要高可靠性和稳定性的场合。

替代型号

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222、PN2222、MPS2222

PDTA123JT,215推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PDTA123JT,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934055395215PDTA123JT T/RPDTA123JT T/R-ND