时间：2025/8/22 4:34:06
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MA4E2200B-287T是一款由MACOM公司生产的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），专为高频和微波应用设计。这款器件属于低噪声放大器（LNA）系列，广泛用于通信系统、雷达、测试设备以及其他需要高性能射频放大器的场合。MA4E2200B-287T采用表面贴装封装（SMT），便于集成到现代高频电路中。
类型：GaAs FET
频率范围：DC至26 GHz
增益：典型值20 dB
噪声系数：典型值0.5 dB
输出功率：最大18 dBm
工作电压：3 V至15 V
静态电流：可调（通过偏置电路）
封装类型：表面贴装（SMT）
引脚数：6
工作温度范围：-55°C至+150°C
MA4E2200B-287T具有多项优异的性能特点，使其成为高频应用的理想选择。首先，该器件的频率范围覆盖DC至26 GHz，适用于广泛的微波和毫米波应用。其次，它具有较低的噪声系数（典型值为0.5 dB），能够有效提升系统的信号质量，特别适合用于低噪声放大器前端。此外，该FET的增益可达20 dB，提供良好的信号放大能力。
该器件采用GaAs技术，具有高电子迁移率和优异的高频响应特性。其输出功率可达18 dBm，满足多数高频系统对功率的需求。MA4E2200B-287T的工作电压范围较宽，为3 V至15 V，便于设计者根据具体需求进行优化。同时，其静态电流可通过偏置电路进行调节，从而在性能和功耗之间取得平衡，适用于电池供电设备。
封装方面，MA4E2200B-287T采用6引脚表面贴装封装，便于自动化装配和高频PCB布局。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境下稳定工作，适用于工业和军事级应用。
MA4E2200B-287T广泛应用于高频和微波系统中，例如无线通信基础设施（如5G基站、微波回传设备）、雷达系统、卫星通信、测试与测量仪器（如频谱分析仪、信号发生器）、宽带放大器以及军事电子设备等。由于其优异的低噪声和高增益特性，该器件特别适合用作接收机前端的低噪声放大器（LNA）。此外，其高可靠性和宽温度范围也使其适用于航空航天和国防领域。
HMC414, ATF-54143, BFU520
