类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　漏-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装封装）

TPC-WMK3具有低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。其低RDS(on)特性使其适用于高电流负载的应用，如电源供应器和电池管理系统。此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，并支持高频操作，从而可以使用更小的电感和电容元件，实现更紧凑的设计。
　　该器件的封装设计考虑了热性能优化，能够有效散发工作时产生的热量，从而确保稳定性和长寿命。此外，TPC-WMK3具有良好的栅极电荷特性，有助于降低驱动损耗，提高系统能效。
　　在可靠性方面，TPC-WMK3具备较高的抗静电能力（ESD耐受性），能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适合在恶劣环境下工作。其材料符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适合环保型电子产品设计。

TPC-WMK3广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器等。
　　? 电池管理系统：用于便携式设备、电动工具、储能系统中的充放电控制。
　　? 电机驱动和负载开关：如工业自动化设备、无人机、机器人等控制系统。
　　? 汽车电子：用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统等场景。
　　? 服务器和通信设备：提供高效的电源转换解决方案，以满足高密度、高可靠性需求。

Si9410BDY-T1-GE3, TPC8103, TPC8107, TPC8113