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PDAB2R55R5-DFN1006 发布时间 时间:2025/5/8 10:37:37 查看 阅读:6

PDAB2R55R5-DFN1006 是一款双通道肖特基二极管阵列,采用 DFN1006 封装形式。该器件主要用于低压、高频应用中,具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适合开关电源、保护电路以及数据通信等场景。

参数

额定电压:30V
  最大正向电流:1A
  正向电压降(VF):0.28V(@If=1A)
  反向漏电流(IR):1uA(@VR=30V)
  结电容(Cj):25pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:DFN1006

特性

PDAB2R55R5-DFN1006 具有以下主要特性:
  1. 超低正向压降,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速恢复性能,确保在高频开关应用中的稳定性。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,非常适合对尺寸敏感的应用。
  4. 高可靠性,能够在较宽的温度范围内稳定运行。
  5. 反向恢复时间极短,适用于高频整流及同步整流电路。
  6. 耐热性能优异,能够承受较高的环境温度。

应用

该元器件广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源中的续流二极管。
  2. 数据通信接口中的保护电路。
  3. LED 驱动电路中的整流元件。
  4. 各类高频转换器中的同步整流。
  5. 电池充电管理电路中的防反接保护。
  6. 便携式设备中的高效能量传输组件。

替代型号

MBR0520L, SR0520, PDAB2R55R5-LLP

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