晶体管类型：PNP双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：2V
　　集电极电流（IC）：最大150mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA, VCE=5V时，典型值为80~250（根据等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）

2N268A 晶体管具有多个显著的电气特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，它的电流增益（hFE）范围较宽，从80到250不等，这意味着在不同应用场景中可以灵活选择匹配的晶体管，以满足放大电路的性能需求。该晶体管的工作电压相对较高，VCEO为30V，VCBO为40V，使其适用于中等电压级别的电路设计。
　　其次，2N268A 具备良好的频率响应特性，其过渡频率（fT）达到100MHz，这使其能够在高频放大电路中表现稳定，适合用于射频前端或中频放大等应用场景。此外，该晶体管的功率耗散为300mW，结合其TO-18金属封装设计，具备一定的散热能力，能够在相对较高的功率条件下工作。
　　由于其PNP结构，2N268A 在电路中通常作为低边开关或共射放大器使用。其基极-发射极电压（VBE）通常在0.6V至0.7V之间，便于与标准的硅基电路接口匹配。此外，该晶体管具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器或音频信号处理电路。
　　尽管2N268A是一款早期设计的晶体管，但其在稳定性、线性度和可靠性方面的表现依然优异。许多复古电子设备和实验电路中仍广泛使用该型号，特别是在模拟放大和开关控制领域。

2N268A 晶体管因其良好的电气特性和可靠性，被广泛应用于多种电子电路设计中。最常见的用途之一是音频放大器电路，尤其是在前置放大器和低功率音频放大应用中。由于其具备较高的过渡频率（fT）和较低的噪声系数，该晶体管能够有效放大音频信号，同时保持信号的清晰度和完整性，因此被广泛用于音响设备、麦克风前置放大器以及老式收音机等音频系统中。
　　此外，2N268A 也常用于开关电路。由于其PNP结构和较高的电流增益，它可以作为低边开关或高边开关使用，适用于逻辑控制电路、继电器驱动电路以及小型电机控制电路等场景。在数字电子系统中，该晶体管可用于构建简单的开关或缓冲电路，实现信号的放大和隔离。
　　另一个典型应用是通用模拟电路中的增益级或缓冲级。2N268A 可以作为共射放大器、共基放大器或共集电极放大器（射极跟随器）使用，广泛应用于信号调理、阻抗匹配和电压跟随等电路设计中。在实验教学和电子爱好者项目中，该晶体管常用于搭建基础放大电路、振荡器和稳压电路等基础电子项目。
　　除此之外，2N268A 也被用于一些老式通信设备中的射频放大电路。虽然其最高频率响应为100MHz，但在中低频段的射频信号放大中仍表现出色，适合用于早期的无线通信设备、调幅/调频收音机前端放大器等应用场景。

2N268, 2N269A, BC179, BC180