VX8CTFN 是一款由 Vishay Semiconductors(威世科技)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效能的电源管理应用,具有较低的导通电阻和高功率密度,适用于需要快速开关和高效能的电路环境。VX8CTFN 采用先进的沟槽技术制造,确保了在高电流负载下依然能够保持良好的热稳定性和电气性能。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):80A(在Vgs=10V时)
导通电阻(Rds(on)):最大8.5mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerPAK SO-8
VX8CTFN MOSFET 的关键特性之一是其非常低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下依然能够保持稳定的性能,适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
此外,VX8CTFN 采用了先进的沟槽技术,使其在较小的芯片面积上实现了更高的电流承载能力。这种设计不仅提高了功率密度,还减少了封装尺寸对性能的影响。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持在不同的控制条件下稳定工作。同时,其高热稳定性确保了在持续高负载工作时仍能维持良好的散热性能。
由于采用了 PowerPAK SO-8 封装技术,VX8CTFN 具有出色的热管理和较小的 PCB 占用空间,非常适合用于紧凑型设计和高功率密度的电源应用。
VX8CTFN 广泛应用于各类电源管理系统,包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。在服务器、电信设备和工业自动化系统中,该 MOSFET 常被用作主开关或同步整流元件。
在汽车电子领域,VX8CTFN 可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)和电动助力转向系统(EPS)等应用,其高可靠性和热稳定性确保了在严苛环境下依然能够稳定工作。
此外,该器件也适用于功率因数校正(PFC)电路和高效率的电源适配器设计,其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效。
Si4410BDY, IRF7484, FDS4410A, NVTFS5C428NL, AO4406