VX8CTFN 时间：2025/8/21 22:10:18 阅读：33

VX8CTFN 是一款由 Vishay Semiconductors（威世科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能的电源管理应用，具有较低的导通电阻和高功率密度，适用于需要快速开关和高效能的电路环境。VX8CTFN 采用先进的沟槽技术制造，确保了在高电流负载下依然能够保持良好的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：80A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大8.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

VX8CTFN MOSFET 的关键特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　此外，VX8CTFN 采用了先进的沟槽技术，使其在较小的芯片面积上实现了更高的电流承载能力。这种设计不仅提高了功率密度，还减少了封装尺寸对性能的影响。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在不同的控制条件下稳定工作。同时，其高热稳定性确保了在持续高负载工作时仍能维持良好的散热性能。
　　由于采用了 PowerPAK SO-8 封装技术，VX8CTFN 具有出色的热管理和较小的 PCB 占用空间，非常适合用于紧凑型设计和高功率密度的电源应用。

应用

VX8CTFN 广泛应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统。在服务器、电信设备和工业自动化系统中，该 MOSFET 常被用作主开关或同步整流元件。
　　在汽车电子领域，VX8CTFN 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS）等应用，其高可靠性和热稳定性确保了在严苛环境下依然能够稳定工作。
　　此外，该器件也适用于功率因数校正（PFC）电路和高效率的电源适配器设计，其低导通电阻和快速开关特性有助于提升整体能效。