时间：2025/12/28 19:23:30
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TV50C161J-G 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 通道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关。TV50C161J-G 采用先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，同时具备良好的热稳定性和耐用性。
类型：N 通道 MOSFET
漏源电压（VDS）：50V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A
导通电阻 RDS(on)：最大 1.6mΩ @ VGS=10V
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
TV50C161J-G 具备多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，提升了电流密度和开关性能。此外，TV50C161J-G 的最大漏源电压为 50V，能够支持中高功率转换系统。其最大连续漏极电流可达 160A，在高负载条件下仍能稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，支持多种驱动电路配置。TV50C161J-G 采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热传导性能，适用于自动贴片和回流焊工艺。该封装还具备良好的机械稳定性和耐久性，适合工业和汽车电子应用。TV50C161J-G 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能够在极端环境条件下可靠运行。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，提高了在过压或短路情况下的稳定性与安全性。
TV50C161J-G 主要用于高功率、高效率的电力电子系统。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、服务器电源、电池管理系统（BMS）、电机控制器、负载开关、功率放大器以及汽车电子系统（如车载充电器和启停系统）。此外，该 MOSFET 还适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和工业自动化设备中的功率开关模块。由于其高电流能力和优异的热性能，TV50C161J-G 也常用于并联功率 MOSFET 设计，以实现更高的电流输出和更低的总导通损耗。
SiS160N04MP, IRF160N, NexFET CSD17551Q5A
