类型：功率MOSFET模块
　　拓扑结构：半桥或全桥配置
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为25mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
　　隔离电压：2500Vrms（模块与散热器之间）
　　短路耐受能力：5μs @ 800V

PD471807具有多项优异特性，首先其采用先进的沟槽栅MOSFET技术，使得导通电阻低至25mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其次，该模块具备高耐压能力，最大漏源电压可达1200V，适用于中高功率应用场合。
　　此外，PD471807的封装设计优化了散热性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定工作温度，同时模块内部集成多个MOSFET器件，可配置为半桥或全桥拓扑结构，大大简化了外部电路设计。
　　该模块还具备优异的短路耐受能力，可在800V条件下承受5μs的短路冲击，提高了系统的可靠性和安全性。模块与散热器之间的隔离电压高达2500Vrms，增强了电气安全性，适用于工业环境中的高可靠性要求。
　　PD471807的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应多种恶劣环境条件。其封装形式支持双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD），便于用户根据实际需求选择合适的安装方式，提升生产效率和系统稳定性。

PD471807广泛应用于多种高功率电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于电机驱动器和伺服控制系统，提供高效、可靠的功率转换。
　　在新能源领域，PD471807可用于光伏逆变器和储能系统的功率变换模块，实现高效率的能量转换和管理。
　　此外，该模块也适用于电动汽车充电设备、UPS不间断电源以及高功率开关电源的设计，满足现代工业对高效率、高可靠性的需求。
　　在家电领域，PD471807可用于变频空调、电磁炉等产品中的功率控制部分，提高能效和系统稳定性。

PD471807的替代型号包括IXYS的IXFN系列、Infineon的IPW60R045C6以及STMicroelectronics的STH120N6F6。