产品系列：InnoSwitch?3
　　拓扑结构：反激式（Flyback）
　　控制方式：准谐振（QR）、CCM/DCM自适应
　　集成开关器件：725V PowiGaN?功率MOSFET
　　最大输出功率：约100W
　　输入电压范围：85VAC - 265VAC（全电压范围）
　　工作频率：30kHz - 132kHz（可变频率）
　　效率：高达94%
　　空载功耗：<30mW
　　反馈机制：FluxLink? 数字磁感应通信
　　封装类型：eSIP?-7C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：过压、过流、过温、短路、输入欠压
　　安全认证：符合IEC 60950/IEC 62368-1隔离要求
　　同步整流支持：是
　　控制模式：初级侧传感（Primary-Side Sensing）
　　启动时间：典型值 <1s

PD1813MT100的核心特性之一是其采用了Power Integrations独有的FluxLink?隔离数字通信技术，该技术通过初级和次级之间的高频磁信号传输控制信息，实现了真正的无光耦闭环反馈控制。这种设计不仅消除了传统光耦因老化或温度漂移导致的性能下降问题，还大幅提升了系统的长期稳定性和可靠性。同时，由于省去了光耦及其偏置电路，PCB布局更加简洁，元器件数量减少，有助于降低成本和提高装配良率。FluxLink?技术还能实现精确的恒压（CV）与恒流（CC）调节，输出精度通常优于±3%，满足严苛的应用需求。
　　InnoSwitch3架构引入了先进的多模式控制策略，能够根据负载情况智能选择最佳的工作模式——在重载时采用准谐振（QR）模式以降低开关损耗，在中等负载下运行于不连续导通模式（DCM），而在轻载时则切换至突发模式（Burst Mode），有效抑制待机功耗。这一系列优化措施使得PD1813MT100在整个负载范围内均保持高效运行，尤其适合需要满足严格能效法规的产品设计。
　　另一个关键特性是其集成了725V耐压的PowiGaN?氮化镓功率晶体管。相较于传统的硅基MOSFET，GaN器件具有更低的导通电阻和更快的开关速度，显著减少了传导损耗和开关损耗，从而允许更高的工作频率和更小的磁性元件尺寸。这不仅提升了功率密度，也改善了热管理表现。此外，该芯片具备完善的多重保护机制，包括实时检测的逐周期电流限制、自动恢复的过温关断、输出过压锁定保护以及输入线路异常监测等功能，全面保障电源系统在各种极端条件下的安全运行。
　　PD1813MT100还支持外部元件极少的设计方案，仅需少量被动元件即可构建完整电源系统，极大简化了设计复杂度。其内置高压电流源可在启动后自动切断，避免持续功耗；同时提供精确的电缆压降补偿功能，确保在不同长度的输出线缆条件下仍能维持稳定的终端电压。所有这些特性共同构成了一个高性能、高可靠、高集成度的现代AC-DC电源解决方案。

PD1813MT100广泛应用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的低至中等功率AC-DC电源系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑和其他便携式设备的USB充电器，特别是支持快速充电协议（如QC、PD等）的高效率适配器设计。由于其出色的空载功耗表现和符合国际能效标准的能力，该芯片非常适合用于家用电器中的辅助电源，例如智能电视、音响系统、路由器、机顶盒等设备的待机电源模块。
　　在智能家居和物联网（IoT）领域，PD1813MT100可用于智能灯具、Wi-Fi中继器、安防摄像头、语音助手设备等产品的内置电源单元，为其提供稳定可靠的低压直流供电。此外，该器件也适用于工业控制设备中的小型电源模块，如传感器供电、PLC辅助电源、远程I/O模块等，尤其是在空间受限且需高隔离等级的场合表现出色。
　　得益于其高度集成和简化的设计特点，PD1813MT100也被广泛用于替换传统分立式反激控制器+光耦+次级侧控制架构的设计方案，帮助工程师缩短开发周期、降低BOM成本并提升产品整体质量。在医疗设备辅助电源、办公设备（如打印机、扫描仪）电源模块中也有一定的应用潜力，前提是符合相应的安全与电磁兼容规范。总之，凡是需要高效、紧凑、高可靠性的离线式电源设计，PD1813MT100都是一个极具竞争力的选择。

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