IRF7341G 时间：2025/4/28 19:32:57 阅读：2

IRF7341G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TOLL封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性。IRF7341G广泛应用于高效能功率转换领域，如DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动等应用中。
　　这款MOSFET的设计特别注重降低导通损耗和开关损耗，使其非常适合高频开关应用。其额定电压为60V，能够满足大多数低压系统的需求。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：52A
　　导通电阻（典型值）：2.2mΩ
　　栅极电荷（典型值）：87nC
　　反向恢复时间：35ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

IRF7341G 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗，提高效率。
　　2. 高度优化的栅极电荷设计，支持高频开关操作。
　　3. 超薄封装形式 TOLL，具备出色的热性能和电气性能。
　　4. 符合汽车级认证标准，适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
　　5. 支持大电流操作，适合需要高功率输出的应用场景。
　　6. 广泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能可靠运行。

应用

IRF7341G 的典型应用包括：
　　1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
　　2. 汽车电子系统的电源管理模块。
　　3. 工业设备中的电机控制与驱动。
　　4. 高效能开关电源（SMPS）解决方案。
　　5. 太阳能微逆变器及储能系统的功率转换模块。
　　6. 各类需要低损耗和高效率的功率管理电路。