型号：PC48F4400P0TB0E
　　制造商：ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
　　存储类型：CMOS SDRAM
　　存储容量：48 Mbit (4M x 16-bit)
　　组织结构：4 Meg x 16
　　Banks数量：4 Banks
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　接口类型：LVTTL
　　时钟频率：最高支持133 MHz
　　访问时间：约7.5 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新
　　数据宽度：16位
　　供电电流：典型值约70mA（工作状态），待机电流＜5mA
　　封装尺寸：标准54-pin TSOP II 尺寸（约18.4mm x 12.0mm x 1.2mm）
　　引脚间距：0.8mm

PC48F4400P0TB0E具备多项关键特性，使其在工业级存储应用中表现出色。首先，其4 Bank架构支持交错式页面访问，显著提升了数据吞吐效率，尤其在连续读写操作中减少了等待时间，提高了整体系统性能。每个Bank可独立激活和预充电，配合突发长度可编程功能（支持1、2、4、8字节及整页突发），能够灵活适配不同主控的数据传输需求。其次，该芯片内置精密的时序控制逻辑，支持CAS潜伏期（CL）为2或3，允许用户根据系统时钟调整响应速度，在性能与稳定性之间实现平衡。此外，其低功耗设计体现在多种省电模式上，包括自动刷新模式下维持数据不丢失的同时降低功耗，以及自刷新模式下由内部计数器控制刷新周期，无需外部时钟输入，非常适合电池供电或间歇运行的嵌入式设备。
　　另一个重要特性是其卓越的环境适应能力。PC48F4400P0TB0E通过了严格的工业级认证，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，避免因温度波动导致的数据错误或器件失效，特别适用于户外通信设备、工厂自动化设备等复杂工况。其TSOP-II封装不仅体积小巧，还优化了热传导和电气性能，减少信号反射和串扰，提升高频工作的可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。最后，ISSI为其提供了长期供货保障和技术支持，使得PC48F4400P0TB0E成为许多工业客户首选的替代方案之一，尤其是在原厂停产或供应链不稳定的情况下依然能保持项目延续性。

PC48F4400P0TB0E广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在通信设备中，它常被用于路由器、交换机和基站控制器中作为帧缓冲或临时数据缓存，利用其高速读写能力和多Bank结构提升网络包处理效率。在工业自动化领域，该芯片服务于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块，用于存储实时控制指令和传感器数据，在高温、振动环境中保持稳定运行。医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统也采用此类工业级SDRAM，以确保诊断数据的准确性和设备长时间工作的可靠性。
　　此外，PC48F4400P0TB0E还常见于嵌入式网关、智能电表、视频监控前端设备等物联网边缘节点中，承担操作系统加载、应用程序运行和图像暂存任务。在车载电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）或ADAS辅助驾驶模块，该芯片可在宽温条件下提供可靠的内存支持。同时，由于其兼容性强且易于集成，许多基于ARM、PowerPC或DSP平台的设计都将PC48F4400P0TB0E作为标准外扩内存方案。其小尺寸封装也使其适用于空间受限的便携式工业手持终端或测试仪器。总之，凡是需要稳定、耐用、中等容量且成本可控的同步动态内存解决方案的场合，PC48F4400P0TB0E都是一个理想选择。

IS45S16400-7T