时间：2025/4/21 14:08:40
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GMC04CG101F50NT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
这款功率MOSFET具有N通道增强型设计，其封装形式为TO-263（D2PAK），适用于高电流和高电压的应用场景。此外，GMC04CG101F50NT还具有出色的热性能和可靠性，适合工业级及消费类电子产品的应用需求。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：78nC
输入电容：3220pF
总电荷：95nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）确保了更低的传导损耗，从而提升了整体效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷使得器件在高频应用中表现出色。
3. 具备良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
4. 高雪崩能量能力增强了器件的耐用性和鲁棒性。
5. TO-263封装提供了出色的散热性能和易于安装的特性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 工业逆变器
5. 电动车充电模块
6. LED照明驱动
7. 电池管理系统（BMS）
GMC04CG101F50NTL, IRF540N, FDP155N06L
