GA0402Y222MXAAP31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器模块,专为无线通信应用设计。该模块集成了功率放大器、滤波器和匹配网络,具有高增益、高线性度和低失真的特点,适用于 4G LTE 和 5G Sub-6GHz 的基站及用户设备。
此型号属于 GaAs(砷化镓)工艺产品系列,能够在高频段提供卓越的性能表现。其紧凑型封装适合于对空间要求严格的设计场景,同时支持多频段操作。
型号:GA0402Y222MXAAP31G
工作频率范围:3.3 GHz 至 4.2 GHz
输出功率(典型值):40 dBm
增益:18 dB
效率(PAE):45%
电源电压:5 V
静态电流:400 mA
封装形式:QFN 6x6 mm
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
GAMXAAP31G 拥有以下主要特性:
1. 高输出功率和效率,在宽带宽范围内保持稳定的性能。
2. 内置匹配网络和滤波器,减少了外部元件的需求,从而简化了设计过程。
3. 支持多载波运行模式,增强了在复杂通信环境下的适应能力。
4. 小尺寸封装使其成为空间受限应用的理想选择。
5. 提供良好的线性度和抗干扰能力,确保信号质量不受影响。
6. 可靠性高,经过严苛的测试以满足工业级标准。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 无线基础设施设备,例如小型蜂窝基站和宏基站。
2. 用户终端设备,如 CPE(客户前提设备)和移动热点。
3. 固定无线接入 (FWA) 系统中的发送模块。
4. 工业物联网 (IIoT) 和其他需要高效 RF 传输的场景。
5. 测试与测量仪器中作为高性能信号放大部分。
GA0402Y222MXAAP31F, GA0402Y222MXAAP31H