时间：2025/6/23 17:37:01
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GA1812A560FBAAT31G 是一款高功率密度的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用先进的 GaN 技术制造。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能，适合用于高频、高效能的电源转换应用。其封装形式为表面贴装型，能够满足现代电子设备对小型化和高性能的需求。
这款 GaN FET 在设计上优化了热性能和电气性能，使其能够在高频率和高效率的应用场景中表现出色，例如服务器电源、通信基站电源、太阳能逆变器以及电动车充电装置等。
型号：GA1812A560FBAAT31G
类型：增强型 GaN 场效应晶体管 (e-mode HEMT)
最大漏源电压 Vds：650V
最大栅源电压 Vgs：+6V/-4V
连续漏极电流 Id：56A
导通电阻 Rds(on)：40mΩ（典型值，@Vgs=6V）
输入电容 Ciss：2950pF（典型值）
输出电容 Coss：60pF（典型值）
反向恢复电荷 Qrr：10nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 到 +150°C
封装形式：表面贴装（SMD）
GA1812A560FBAAT31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下显著减少传导损耗。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，适用于高频电源转换应用。
3. 内置 ESD 保护电路，提高器件的可靠性。
4. 采用增强型模式（e-mode）设计，简化了驱动电路设计，并提高了系统稳定性。
5. 具有良好的热性能，有助于散热管理，提升整体系统的效能。
6. 支持宽禁带半导体技术，提供更高的效率和功率密度。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特点使得 GA1812A560FBAAT31G 成为许多高效率、高性能应用的理想选择。
GA1812A560FBAAT31G 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和服务器电源供应单元（PSU）。
2. 通信基础设施中的基站电源。
3. 太阳能光伏逆变器及储能系统。
4. 工业自动化设备中的高效 DC-DC 转换器。
5. 快速充电适配器和车载充电器（OBC）。
6. 电动交通工具相关的电机驱动控制器。
7. 高频 AC-DC 和 DC-AC 转换器。
由于其出色的性能和效率，该器件特别适合需要高功率密度和高效率的设计方案。
GA1812A500FBAAT31G, GA1812A560FBAAQ31G
